ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Магнитопровод параметрического трансформатора ИИЭ с двусторонним ключом - часть 2


На рис. 8 показаны зависимости индуктивности L1 от Iу и Л для магнитопровода из высококачественного марганец-цинкового феррита (5т = 0,44 Т, Bг = 0,17 Т) с размерами а = 24,5, Ь = 29, € = 20,8 и d = S мм при wу=1100, wl = w2 = 27 витков. В схеме пре­образователя (см. рис. 7) последовательно с обмоткой wl пара­метрического трансформатора включен высокодобротный дрос­сель lw, служащий для ограничения размаха тока через двусто­ронний ключ при уменьшении L1 в процессе регулирования.

Как известно из теории выходного каскада строчной развертки с двусто­ронним ключом [4], t3 определяется полупериодом собственной частоты ко­лебательного контура, образованного (для схемы рис. 7) индуктивностью LAP + Lj и емкостью С1. Регулируя t3 с помощью изменения L1, добиваются регулирования UK, а следовательно, и напряжений вторичных обмоток транс­форматора.

Для повышения КПД и крутизны регулировочных характери­стик параллельно выходной обмотке с наибольшим числом вит­ков подключен конденсатор Сп, который придает преобразовате-

лю резонансные свойства. Выходные напряжение и мощность свя­заны с параметрами схемы следующими выражениями:

где n = w2/w1; w=2п/Т; Rs — эквивалентное сопротивление нагруз-жи. Отсюда видно, что Еяых и РВых имеют максимум при опреде­ленном значении ш и, как показывают расчеты и эксперимент, зависимости Рвыж и EВых от л и частоты работы преобразователя весьма резкие.

Преобразователь (см. рис. 7) имеет защиту, срабатывающую при перегрузках по выходному напряжению и току. При повыше­нии Eвых под действием дестабилизирующих факторов увеличи­ваются токи через транзисторы VT2, VT3 и обмотку дау, вследст­вие чего индуктивность L1 уменьшается и Евых возвращается к исходному значению. При понижении £Вых процесс протекает в противоположном направлении. При снижении £Вых ниже неко­торого порога ток через VT1 и wy прекращается совсем, что при­водит к резкому увеличению индуктивности L1 (рис. 8) и сниже­нию тока накачки.На этом основан эффект защиты от перегру­зок по выходному току.

Основные параметры схемы рис. 7: шу=1200, wl = w3 = 40 витков. При Uсети=100 В Рвых max = 80,5 Вт, КПД = 83%, чувстви­тельность регулирования мощности ДРВых/ДIу = 5,1 Вт/мА, неста­бильность напряжения +115 В при изменении тока нагрузки от 0,4 до 0,8 А не более 0,5 В.




Начало  Назад  Вперед