ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


ОДНОТАКТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ОДНОСТОРОННИМ КЛЮЧОМ - часть 3


В таком случае за Я„ых принимается суммарная выходная мощность преобразователя, а за UВЫХ — напря­жение наиболее мощной цепи нагрузки.

Из рассмотренного следует, что с увеличением L1 уменьша­ются импульсные токи через транзистор и диод. Однако с увели­чением L1 растет индуктивность рассеяния Ls, в которой в интер­вале времени, когда транзистор открыт, запасается энергия L8I2K max/2. Эта энергия вызывает на коллекторе транзистора при его выключении дополнительный выброс напряжения. Для его ограничения используются диодно-резистивно-емкостные цепочки, которые поглощают запасенную в Ls энергию. Это снижает КПД преобразователя, но делает режим транзистора более безопасным.

Рис. 4. Эквивалент­ная схема (а) и вре­менные диаграммы (б) преобразователя с «прямым» включени­ем выпрямителей

Рассмотрим особенности работы схемы «с прямым» включени­ем выпрямительных диодов (см. рис. 2,6), которые открыты одно­временно с транзистором. Соответствующие эквивалентная схема и временные диаграммы приведены на рис. 4. Дроссель Lflp служит для ограничения тока через транзистор. Обмотка трансфер» матора w'i, равная по числу витков обмотке wl, включена по­следовательно с диодом VD1. С помощью этого диода в интерва­ле времени (1 — 6)Г происходит возврат в ИИЭ (рекуперация) энергии, запасенной в трансформаторе Т (в его первичной обмот­ке) за время 67, когда транзистор открыт. Основные расчетные соотношения для данной схемы:

                         (6)

(7)

(8)

Из выражения (7) следует, что максимальное значение £др при заданных РВых, ik max, DBK и Т ограничено. Практически Lдр выбирают на 15 — 20% выше Lдр.

Для снижения импульса тока через транзистор целесообраз­но увеличивать индуктивность первичной обмотки трансформато­ра. Однако это приводит к увеличению габаритов трансформато­ра и индуктивностей рассеяния, в том числе между обмотками wl и w1'. Это снижает ограничивающее действие VD1 и приво­дит к возрастанию импульса напряжения на коллекторе транзи­стора VT, возникающего при его закрывании.




Начало  Назад  Вперед