ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Временные диаграммы для схемы - часть 5


Серийные ИИЭ, вы­пускаемые промышленностью, используются пока только в теле­визионных приемниках. Еще не созданы надежные мощные ИИЭ для высококачественной стереофонической аппаратуры. Не сде­лано попыток применить маломощные ИИЭ для массовой малога­баритной аппаратуры — радиоприемников, кассетных магнитофо­нов, которые даже в домашних условиях эксплуатируются от ав­тономного источника — электрических батареек, что приводит к непрекращающемуся дефициту последних. Предстоит еще решать многие проблемы электромагнитной совместимости аппаратуры.

Устройства электропитания, преобразующие переменное на­пряжение 220 В в более низковольтное с помощью сетевых тран­сформаторов, уже не могут удовлетворять нарастающим требова­ниям улучшения массогабаритных и энергетических показателей, так как их потенциальные возможности практически исчерпаны. На смену традиционным преобразователям электроэнергии, по­ступающей из сети, приходят новые, удачно названные Ю. И. Ко­невым [9] микроэлектронными электротехническими системами.

В соответствии с потребностями микроэлектронных электро­систем создается новая элементная база. Главным ее звеном яв­ляется высоковольтный силовой ключ. В настоящее время — это биполярный транзистор, изготавливаемый как меза-, так и эпи-таксиально-планарным методами.

Последний метод является весьма перспективным, так как он открывает возможности использования бескорпусных кристаллов высоковольтных транзисторов в силовых микросборках. Метода­ми планарной технологии по краям кристаллов создаются глубо­кие охранные диффузионные кольца я-типа [6]. В упрощенном понимании данные кольца изолируют базу транзистора от края кристалла. В разрезанном кристалле без охранного кольца гра­ница коллекторного р — «-перехода выходит на боковую грань кристалла, которая ничем не защищена, что и является главной причиной пробоя. Поэтому при отсутствии охранного кольца при­ходится дополнительно обтравливать периферию кристалла, соз­давая меза-планарную структуру.


Начало  Назад  Вперед