ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Временные диаграммы для схемы - часть 7


Подложка n--типа представляет собой трехслойную эпитаксиаль-ную структуру, с тыльной стороны которой выращены эпитак-сиальные слои n+- и р+-типа. Основную толщину, однако, состав­ляет высокоомный n--слой, благодаря которому обеспечивается высокое пробивное напряжение структуры (до 1000 В). Общий R+-слой является стоком для всех транзисторов. В n--слое мето­дом ионной имплантации создаются достаточно глубокие p+-об­ласти, которые выполняют роль изолирующего барьера между n+-истоками и n--подложкой, в которой возникает канал. Истоки я+-типа также формируются путем ионной имплантации в барьер­ных р+-областях.

Подложка с имплантированными участками сначала окисля­ется, а затем покрывается слоем поликремния n+-типа, который образует общий затвор. В нем вытравливают окна для последую­щего формирования выводов от n+-истоков, а также для попарно­го разделения затворных областей структур, включаемых парал­лельно.

Поликремниевый слой покрывается слоем SiO2, в котором так­же вытравливают окна для металлизации истока. Затем всю структуру покрывают алюминием, образующим контакт истока, к которому приваривают вывод. В одном из углов кристалла име­ется вскрытое окно, обнажающее слой поликремниевого затвора,. Этот участок затвора металлизируют и приваривают к нему вы­вод.

Структура работает следующим образом. Когда к затвору при­ложен положительный потенциал, в тонком участке барьерного р+ -слоя между n+ -истоком и n--подложкой индуцируется n-канал„ По этому каналу начинает протекать электронный ток в направ­лении стока, к которому приложено положительное напряжение. Избыток электронов в л~-области компенсируется дырочной ин-жекцией из р+ — n+-перехода в зоне стока. В результате сопротив­ление л~-области понижается.

В этой структуре достигается гораздо более равномерное рас­пределение тока по площади кристалла, чем в транзисторе. Дейст­вительно, структура содержит более 3000 ячеек, по которым про­текает ток, а для транзисторной структуры число таких ячеек не превышает 200.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин