Так как ток каждой ячейки при суммарном токе стока, например 5 А не превышает 2 мА, то процессы его переключения происходят гораздо быстрее, имея в виду, что площадь пассивных (плохо управляемых) участков кристалла гораздо меньше, чем в транзисторе.
Общим для транзисторной и МДП-высоковольтной структуры-остается наличие достаточно толстого высокоомного n--слоя с модулируемой проводимостью, а также наличие охранных колец по периферии, предотвращающих пробой по боковой поверхности. Таким образом, мощные МДП-ключи явились результатом развития современной технологии БИС: прецизионной фотолитографии, ионной имплантации. Большое значение имеет также высокое качество исходного кремния.
Главные преимущества МДП-ключей — более простое управление, которое может быть реализовано с помощью КМДП-микро-схем, повышенная устойчивость ко вторичному пробою из-за снижения вероятности локального перегрева кристалла, повышенная (до 50 — 100 кГц) частота переключения.
Ключи МДП повлекут за собой дальнейшее повышение требований к выпрямительным диодам, фильтрующим конденсаторам, материалам для магнитопроводов. Однако главные принципы построения ИИЭ в основном сохранятся.
Повышение частоты работы преобразователей ИИЭ, а так-же появление планарных силовых ключей открывают широкие возможности для микроминиатюризации. В микросборках для ИИЭ бытовой РЭА перспективно использование недорогих алюминиевых оксидированных подложек с наклееным металлизированным полиимидным пленочным диэлектриком, на котором методами трафаретной печати наносят резисторы, изготовленные из низкотемпературных полимерных паст, и вытравливают проводники. Такие подложки выдерживают пробивное напряжение свыше 2 кВ и обладают хорошими теплоотводящими свойствами.Экспериментальные образцы микросборок, собранные по схеме двухтактного полумостового преобразователя (см. рис. 29) с вынесенным за пределы микросборки трансформатором продемонстрировали возможность их использования в стереофонических усилителях мощностью 2X50 Вт. Эти же микросборки были использованы в образцах маломощных ИИЭ с РВЫХ = 1 — 3 Вт (трансформатор на магнитопроводе Ш5Х5) для питания переносной аппаратуры в стационарных условиях. По сравнению с выпускаемыми трансформаторами источниками питания маломощные ИИЭ имеют вдвое меньше объем и массу. Маломощные силовые микросборки с планарными транзисторами особенно хорошо должны сочетаться с пьезоэлектрическими трансформаторами [12].