ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Временные диаграммы для схемы - часть 8


За число элементарных ячеек в транзисторе мож­но принять квадрат числа пар эмиттерно-базовых «гребенок», ко­торое для мощных транзисторов не превышает 10 — 12. Увеличе­нию числа «гребенок» препятствует рост сопротивления металли­зации эмиттера и базы.

Так как ток каждой ячейки при суммарном токе стока, напри­мер 5 А не превышает 2 мА, то процессы его переключения про­исходят гораздо быстрее, имея в виду, что площадь пассивных (плохо управляемых) участков кристалла гораздо меньше, чем в транзисторе.

Общим для транзисторной и МДП-высоковольтной структуры-остается наличие достаточно толстого высокоомного n--слоя с модулируемой проводимостью, а также наличие охранных колец по периферии, предотвращающих пробой по боковой поверхности. Таким образом, мощные МДП-ключи явились результатом раз­вития современной технологии БИС: прецизионной фотолитогра­фии, ионной имплантации. Большое значение имеет также высо­кое качество исходного кремния.

Главные преимущества МДП-ключей — более простое управ­ление, которое может быть реализовано с помощью КМДП-микро-схем, повышенная устойчивость ко вторичному пробою из-за сни­жения вероятности локального перегрева кристалла, повышенная (до 50 — 100 кГц) частота переключения.

Ключи МДП повлекут за собой дальнейшее повышение тре­бований к выпрямительным диодам, фильтрующим конденсато­рам, материалам для магнитопроводов. Однако главные принци­пы построения ИИЭ в основном сохранятся.

Повышение частоты работы преобразователей ИИЭ, а так-же появление планарных силовых ключей открывают широкие возможности для микроминиатюризации. В микросборках для ИИЭ бытовой РЭА перспективно использование недорогих алю­миниевых оксидированных подложек с наклееным металлизиро­ванным полиимидным пленочным диэлектриком, на котором методами трафаретной печати наносят резисторы, изготовленные из низкотемпературных полимерных паст, и вытравливают провод­ники. Такие подложки выдерживают пробивное напряжение свы­ше 2 кВ и обладают хорошими теплоотводящими свойствами.Эк­спериментальные образцы микросборок, собранные по схеме двух­тактного полумостового преобразователя (см. рис. 29) с вынесен­ным за пределы микросборки трансформатором продемонстриро­вали возможность их использования в стереофонических усилите­лях мощностью 2X50 Вт. Эти же микросборки были использо­ваны в образцах маломощных ИИЭ с РВЫХ = 1 — 3 Вт (трансфор­матор на магнитопроводе Ш5Х5) для питания переносной аппа­ратуры в стационарных условиях. По сравнению с выпускаемы­ми трансформаторами источниками питания маломощные ИИЭ имеют вдвое меньше объем и массу. Маломощные силовые мик­росборки с планарными транзисторами особенно хорошо должны сочетаться с пьезоэлектрическими трансформаторами [12].




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин