ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ



Выходные вольт-ам­перные характеристики мощ­ного высоковольтного транзи­стора - часть 2


Рис. 13. Схема для проверки Uк;эогр мощного высоковольтного транзистора (а) и наблюдаемая на осциллографе вольт-амперная характеристика (б)

Участок 1 — 2 границы ОБР определяется максимальным то­ком коллектора, участок 2 — 3 — предельно допустимый мощно­стью, рассеиваемой на коллекторе, участок 3 — 4 — явлением вто­ричного пробоя, участки 4 — 5 и 5 — 6 — предельно допустимыми напряжениями коллектор — эмиттер при отключенной и соединенной с эмиттером базе. Физический смысл границ ОБР заключается в том, что при работе за их пределами темпе­ратура отдельных точек кристалла транзистора благодаря эффекту не­равномерности распределения тока достигает такого значения, при ко­тором наступает тепловой пробой.




Содержание  Назад  Вперед