Современные электронные усилительные устройства работают на транзисторах и интегральных микросхемах. Аналоговая микросхема представляет собой миниатюрный усилительный каскад или даже усилитель, изготовленный на кристалле размером в несколько квадратных миллиметров. В состав интегральной микросхемы входят десятки и сотни транзисторов, резисторы и конденсаторы. Набор интегральных микросхем весьма обширен, включает в себя усилители звуковой, высокой и промежуточной частот для радиоприемников и телевизоров, различные каскады преобразователей частоты, специальные усилители (дифференциальные и операционные и пр.). Степень интеграции все возрастает, т. е. в одной микросхеме может умещаться все больше каскадов радиоприемника или даже телевизора. Но пока основой распространенных радиолюбительских конструкций остаются транзисторы, часто в сочетании с интегральными микросхемами.
Если для нормальной работы микросхемы необходимо лишь обеспечить ей определенные напряжения питания (мы не говорим сейчас о подключении внешних дополнительных элементов и о подборе параметров внешних корректирующих цепей), то транзистор нуждается в правильном выборе режима работы. От этого зависят многие параметры устройства и возникающие при этом искажения усиливаемых сигналов. Особенно это относится к работе мощных транзисторов.
В настоящее время в электронной аппаратуре применяются обычные транзисторы (биполярные) и полевые (униполярные). Биполярные имеют два р-n перехода. Они могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) или общим коллектором (ОК) (рис. 1).
Рис. 1. Принципиальные схемы включения транзисторов:
в — с общей базой; б — с общим эмиттером; в — с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
В схеме включения ОБ (рис. 1,а) входным электродом является эмиттер, а выходным — коллектор. Входное сопротивление транзистора невелико (десятки ом), так как эмиттерный р-n переход включен в прямом направлении, выходное — большое, поскольку коллекторный переход смещен в обратном направлении.