Числа и переменные
В математических выражениях ССМ МС5 могут использоваться следующие представления чисел:
действительные числа с фиксированным десятичным знаком – например, сопротивление 5,6 кОм представляется как 5600 или 5.6 К. Отметим, что в качестве десятичного знака используется точка;
действительные числа с плавающим десятичным знаком — научная нотация. Например, емкость 1 мкФ может быть представлена как 1Е-6;
действительные числа с плавающим десятичным знаком — инженерная нотация, согласно которой различные степени 10 обозначаются следующими суффиксами:
Для экономии места на графиках малая буква "m" обозначает 10-3, большая буква "М" — 106.
При представлении чисел большие и малые буквы не различаются. Например, сопротивление 1,8 МОм может быть записано как 1.8MEG, 1.8mеg или 1800К. Пробелы между числом и буквенным суффиксом не допускаются!
В ССМ МС5 ряд констант и переменных имеют стандартные значения:
GMIN — минимальная проводимость ветви, задаваемая в диалоговом окне Options - Global settings;
PI — число =3.14159265389795;
TEMР — температура компонентов в градусах Цельсия;
VT — температурный потенциал р-п перехода, равный 1,3806226-10-23* (273,15+ТЕМР)/(1,6021918-10-19); при ТЕМР=27 °C VT=25,86419 мВ.
Номера узлов, присваиваемые программой МС5 автоматически, представ-ляют собой целые числа, например 3, 12, 27. Кроме того, пользователь может присвоить любому узлу имя в виде текстовой алфавитно-цифровой переменной, начинающейся с буквы или символа "_" и содержащей не более 50 символов, например, А1, Input, Земля.
В математических выражениях используются следующие переменные:
В этом перечне символы А и В обозначают номера узлов схемы, D1 — имя компонента с двумя выводами или управляемого источника, Q1 — имя любого активного устройства или линии передачи. Символы R и S заменяются аббревиатурами выводов устройств согласно следующей таблице:
Например, следующие выражения означают: I(R3) —ток через резистор R3; R(RВЫХ) — сопротивление резистора RВЫХ; L(LK) – индуктивность катушки LK; IB(VT1) — ток базы биполярного транзистора VT1; VCE(Q1) - напряжение между коллектором и эмиттером биполярного транзистора Q1.
