Схема широкодиапазонного однотранзисторного конвертера
На рис. 27 приведена принципиальная схема конвертера, отличающегося от аналогичных устройств с фиксированной настройкой тем, что здесь вместо переключателя диапазонов для настройки входного контура и контура гетеродина применен блок конденсаторов переменной емкости, а на выходе включены L, С-элемен,ты, перестраивающие входной контур приемника на диапазон зеркальных частот. При работе с таким конвертером грубая настройка на желаемый участок KB диапазона про-изводится с помощью КПЕ, а плавная — приемником, с которым работает конвертер. Средняя промежуточная частота принята в этом конвертере равной 2,3 МГц.
Конвертер предназначен для работы в диапазоне 25 — 75 м (12 — 4 МГц). Плавная настройка на принимаемую программу KB радиостанции в любой точке диапазона осуществляется приемником в полосе частот примерно 2,3 ±0,2 МГц.
Преобразователь частоты выполнен по схеме с тсовме- щенным гетеродином. Входной контур образован катушкой индуктивности L1, конденсатором переменной емкости С2 блока С2, СЗ и сопрягающим конденсатором С4. Полоса, пропускания этого контура составляет примерно 400 кГц. Связь входного контура с базой транзистора Т1 осуществляется катушкой индуктивности L2.
Гетеродин собран по трехточечной схеме с трансформаторной обратной связью. Контур гетеродина состоит из катушки индуктивности L3, конденсатора переменной емкости СЗ и сопрягающих конденсаторов С5 и Сб. Катушка индуктивности L4 обеспечивает необходимую связь контура L3C3C5C6 с транзистором Т1, который для принимаемого сигнала включен по схеме с общим эмиттером, а для сигнала гетеродина — по схеме с общим коллектором.
Необходимое сопряжение входного контура с контуром гетеродина достигается сопрягающими конденсаторами С4 — Сб. При этом в любой точке диапазона разность между частотой гетеродина и настройкой входного контура равна промежуточной частоте (2,3 МГц) или незначительно отличается от нее.
Стабильность частоты гетеродина при изменениях напряжения источника питания обеспечена включением кремниевого диода Д1, стабилизирующего базовое смещение транзистора Т1.