ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Диаграмма области безопасной ра­боты высоковольтного импульсного транзи­стора


В ОБР можно выделить статическую и динамическую зоны. В статической зоне (обведена на рис. 14 сплошной линией) тран­зистор может работать неопределенно долго. В динамической зо­не время пребывания транзистора в состоянии с заданными то­ком и напряжением коллектора уменьшается с ростом их значе­ний. Динамическая зона ОБР обычно дается для моноимпуль­сного режима, при котором 6 = tK/T->0 (tn — длительность импуль­сов мощности; Т — период их повторения). Для перехода к ре­альному динамическому режиму с конечным значением б исполь­зуется приближенный расчет. Этот расчет основан на эмпириче­ских зависимостях коэффициента К=Rти/Rт (где RTи, RT — им­пульсное и статическое значения теплового сопротивления пере­ход — корпус) от tK и б (рис. 15,а), а также коэффициента Кв­от температуры корпуса (рис. 15,6). Участок границы 23 ОБР рассчитывают по формуле:

где Tпер — температура перехода (обычно равная 125°С); Г0кр — температура окружающей среды; RГк — тепловое сопротивление корпус — теплоотвод; RT — тепловое сопротивление переход — корпус. Коэффициент дв условно характеризует снижение порого­вого напряжения вторичного пробоя от температуры корпуса. Участок границы 34 ОБР рассчитывается по формуле:

IК max = Uкэmах (6=/=0) = KвIК mахUКЭ max (6 = 0).

Рис. 15. Зависимость коэффициента сниже­ния Ri в импульсном режиме от длитель­ности и скважности импульсов (а), относи­тельное снижение мощности, рассеиваемой на коллекторе, и коэффициента kв от тем­пературы корпуса (б)

Температуру корпуса ГКОрп либо измеряют, либо рассчитыва­ют через мощность на коллекторе и тепловое сопротивление. Та­ким образом, может быть построена динамическая ОБР для за­данных б и tи. Анализируя режим работы транзистора в ИИЭ, на­до следить за тем, чтобы рабочая точка не выходила за пределы построенной динамической ОБР.

В табл. П2, ПЗ приложения приведены сведения об отечест­венных высоковольтных мощных транзисторах, которые можно использовать в ИИЭ.




Начало  Назад  Вперед