ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

         

ОДНОТАКТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ОДНОСТОРОННИМ КЛЮЧОМ


Однотактные преобразователи напряжения с транзисторным ключом получили в настоящее время наибольшее распростране­ние в бытовой и промышленной аппаратуре. На рис. 2 приведены две схемы преобразователей, отличающихся полярностью подклю­чения вторичных обмоток импульсного трансформатора к выпря­мителям выходного напряжения нагрузки. Надо заметить, что в виду высокой частоты преобразования и незначительного уровня пульсаций в выходных цепях преобразователя предпочтительно ис­пользовать однополупериодные схемы выпрямления, что обеспечивает экономию числа быстродействующих выпрямительных диодов. Схема рис. 2,а, получившая наибольшее распространение, харак­теризуется «обратным» включением выпрямительных диодов [2], проводящих ток в интервале времени, когда транзистор заперт.

Рис. 2. Схемы однотактн ы х транзис т о р-ных преобра­зователей: с «обратным» (а) и «пря­мым» (б) включением вы­прямителей то­ка нагрузки

Данный преобразователь обладает рядом преимуществ по сравнению с преобразователем с «прямым» включением выпрямительных диодов. Его работа поясняется с помощью эквивалент-ной схемы и временных диаграмм (рис. 3).

Нагрузка на схеме рис. 3,а приведена к первичной обмотке, поэтому напряжение на эквивалентном сопротивлении нагрузки обозначено nUВых, где n = w1/w2. В течение интервала времени 6T, когда транзистор открыт, через индуктивность L1 первичной обмотке протекает линейно нарастающий ток, максимальное значения которого ДI1 = Uхв/L1бT. Когда транзистор закрывается, полярность напряжения на L1 изменяется и накопленная в ней энергия передается в нагрузку через диод VD1. Спад тока через L! в интервале (1 — б)Т равен

ДI2=nUвыхT/L1 (1-б)                                                                      (1)

В стационарном режиме ДI1=ДI2. Отсюда следует, что

Uвых = Uвх/n * б/(1 — б).                                                               (2)

Рис. 3. Эквива­лентная схема (а) временные ди­аграммы (б) пре­образователя с «обратным» вклю­чением выпрями­телей


Таким образом, регулируя 6=T1/T (где T1 — интервал откры­того состояния транзистора), можно регулировать выходное на­пряжение. Размахи импульсов тока через транзистор и диод за­висят от индуктивности LL Если она слишком мала, ток через диод может прекратиться раньше окончания периода работы пре­образователя. Этот случай изображен на правой диаграмме рис. 3,6. Тогда выражение (2) перестанет быть справедливым. Данный режим является неблагоприятным, так как при заданной мощности в нагрузке возрастают импульсные токи через транзи­стор и диод.

Существует минимальное значение индуктивности L1 тщ, при которой, как это видно из рис. 3,6, максимальный ток через L1 вдвое превышает средний ток через нее. При этом ток через диод прекращается как раз в момент включения транзистора. Сред­ний приведенный ток через нагрузку равен I'н.ср

= ILсР(1 — б). Так как для L1 = Limin ДI1=2IL Ср, то используя (2), получаем:

L1 min > U2вх б2/2 FРвых                                                                           (3)

где Рвых=Uвых Iн — выходная мощность преобразователя; F=1/T.

С другой стороны, как это следует из выражения (3), индук­тивность L1 при заданной мощности и частоте преобразования F ограничена сверху значением бтах. Последняя обусловлена вы­бранным диапазоном частот преобразования и реальными време­нами неуправляемых переходных процессов в современных высо­ковольтных мощных транзисторах: рассасывания, спада и нара­стания тока коллектора tрасе, tca, tвкл. Так, для частоты преобразо­вания F=25 кГц (7=40 мкс) и при fp«cc=IO икс, Iсп+tвкл = 2 мкс бтах=(40 — 12)/40=0,7. На практике выбирают бтmаx=0,5.

Можно также получить выражения для максимального тока через транзистор Iк max и максимального напряжения на нем Uкэ max (Рис. 3,б):

 (4) (5)

Формулы (1) — (5) удобны для предварительной оценки требо­ваний к основным элементам преобразователя.

Как правило, преобразователь имеет одну вторичную цепь, по­требляющую наибольшую мощность, и несколько маломощных до­полнительных цепей.


В таком случае за Я„ ых принимается суммарная выходная мощность преобразователя, а за UВЫХ — напря­жение наиболее мощной цепи нагрузки.

Из рассмотренного следует, что с увеличением L1 уменьша­ются импульсные токи через транзистор и диод. Однако с увели­чением L1 растет индуктивность рассеяния Ls, в которой в интер­вале времени, когда транзистор открыт, запасается энергия L8I2K max/2. Эта энергия вызывает на коллекторе транзистора при его выключении дополнительный выброс напряжения. Для его ограничения используются диодно-резистивно-емкостные цепочки, которые поглощают запасенную в Ls энергию. Это снижает КПД преобразователя, но делает режим транзистора более безопасным.



Рис. 4. Эквивалент­ная схема (а) и вре­менные диаграммы (б) преобразователя с «прямым» включени­ем выпрямителей

Рассмотрим особенности работы схемы «с прямым» включени­ем выпрямительных диодов (см. рис. 2,6), которые открыты одно­временно с транзистором. Соответствующие эквивалентная схема и временные диаграммы приведены на рис. 4. Дроссель Lflp служит для ограничения тока через транзистор. Обмотка трансфер» матора w'i, равная по числу витков обмотке wl, включена по­следовательно с диодом VD1. С помощью этого диода в интерва­ле времени (1 — 6)Г происходит возврат в ИИЭ (рекуперация) энергии, запасенной в трансформаторе Т (в его первичной обмот­ке) за время 67, когда транзистор открыт. Основные расчетные соотношения для данной схемы:

                         (6)


(7)


(8)

Из выражения (7) следует, что максимальное значение £др при заданных РВых, ik max, DBK и Т ограничено. Практически Lдр выбирают на 15 — 20% выше Lдр.

Для снижения импульса тока через транзистор целесообраз­но увеличивать индуктивность первичной обмотки трансформато­ра. Однако это приводит к увеличению габаритов трансформато­ра и индуктивностей рассеяния, в том числе между обмотками wl и w1'. Это снижает ограничивающее действие VD1 и приво­дит к возрастанию импульса напряжения на коллекторе транзи­стора VT, возникающего при его закрывании.



Практические схемы однотактных выходных каскадов преоб­разователей требуют дополнительных элементов защиты. На схе­ме рис. 2,а изображена цепочка, которая уменьшает скорость на­растания напряжения на коллекторе транзистора при его выклю­чении до 500 — 1000 В/мкс. Это необходимо, чтобы режим транзи­стора всегда оставался в пределах области его безопасной рабо­ты (подробнее об этом будет рассказано ниже). Номиналы R и С1 выбирают в соответствии со следующими формулами C1=IКmах/dUКЭ/dt, R=T/10C1.

Так, для IКmах=2 A, dUK9/dt = 600 В/мкс, 7-40 мкс, С,= = 2/600=3,3 нФ, R = 40/10-3,3= 1,2 кОм. Потери в резисторе рав­ны Рн = Си2хэ/2Т. Для нашего случая при UK3 =500 В Ря = -3,3-5002-10-9/2-40-10-6=10 Вт.

Сравнение двух основных схем однотактных преобразовате­лей. Схема с обратным включением выпрямительных диодов об­ладает следующими преимуществами.

1. В ней требуется меньшее число дополнительных элемен­тов: отсутствует дроссель во вторичной цепи, и как правило, нет необходимости вводить дополнительные диод и обмотку транс­форматора для возврата в источник запасенной в нем энергии.

2. Импульс тока через транзистор меньше, чем в схеме с «прямым» включением диодов, что следует из сравнения эквива­лентных схем и выражений (4) и (8).

Однако с повышением мощности ИИЭ и коэффициента транс­формации эти преимущества в значительной мере утрачиваются. Дело в том, что в СхХеме с «прямым» включением выпрямительных диодов токи через первичную и вторичную обмотки трансформа­тора протекают одновременно. При этом ток намагничивания магнитопровода определяется разностью ампер-витков первичной и вторичной обмоток. Из-за относительно небольшого тока на­магничивания и желания сократить габаритные размеры транс­форматора за счет уменьшения числа витков обмоток wl, w'l за­зор в магнитопроводе трансформатора отсутствует. В схеме с «обратным» включением диодов весь коллекторный ток транзисто­ра является током намагничивания магнитопровода.



В однотактной схеме магнитопровод трансформатора работа­ет в режиме частного цикла намагничивания (рис. 5). Если ток намагничивания достаточно велик, то магнитная индукция дости­гает уровня насыщения и индуктивность первичной обмотки трансформатора рез­ко падает. Это вызывает резкое увеличе­ние тока транзистора. Чтобы избежать насыщения (см. рис. 2,а), в магнитопро­вод вводят зазор, достигающий 0,5 — 2,0 мм. А это, в свою очередь, требует увеличения сечения магнитопровода для сохранения расчетного значения L1min.



При большом коэффициенте трансформации (n>10) возра­стает индуктивность рассеяния между первичной и вторичной об­мотками. Это приводит к снижению эффекта ограничения выбро­са напряжения на коллекторе за счет выпрямителей нагрузки, поэтому приходится вводить в трансформатор дополнительную обмотку и диод (аналогично схеме рис. 2,6).

Преобразователь с «прямым» включением выпрямителей на­грузок обладает некоторым недостатком, связанным с необхо­димостью ограничения величины 6mах<0,5. Если б<0,5, то про­текание тока через обмотку w'1 при открытом транзисторе воз­вращает рабочую точку на диаграмме намагничивания магнито­провода в исходное состояние. При б>0,5 возвращения в исход­ное состояние не происходит, поэтому в последующие периоды трансформатор постепенно намагничивается, пока поток в магни-топроводе не достигает значения насыщения. Этот процесс проис­ходит в течение нескольких периодов переключения преобразова­теля и приводит к модуляции сигнала в цепи обратной связи (ОС), что при определенных условиях вызывает аварийную ситуацию — увеличение 6 при насыщении магнитопровода и соответствующее резкое увеличение импульса коллекторного тока транзистора. Ра­бота преобразователя при этом сопровождается характерным «свистом» на частотах порядка нескольких килогерц.




Содержание раздела