ИМПУЛЬСНЫЕ ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ


Принципиальная схема ИИЭ телевизора «Юность Ц-


Интегральная микросхема 2-DA1 выполняет функции задающего генерато­ра, ШИМ и предварительного формирователя импульса управления предвыход­ным каскадом преобразователя.

Задающий генератор ИМС 2-DA1 содержит двухтранзисторный компаратор напряжения, триггерную схему и разрядный транзистор. На один вход ком­паратора (вывод 14) поступает близкое по форме к линейно нарастающему напряжение, получаемое путем заряда конденсатора 2-С2 через резистор 2-R3 Когда напряжение на выводе 14 достигает уровня 2 В, задаваемого резистив-ным делителем внутри интегральной микросхемы, компаратор и триггерная схема срабатывают. При этом конденсатор 2-С2 разряжается, а на выводе 6 вырабатывается положительный импульс длительностью около 2 мкс. Этот им­пульс заряжает до напряжения питания конденсатор 2-СЗ, подключенный че­рез вывод 2 микросхемы к базе открытого транзистора (внутри ИМС), режим которого задается цепочкой из резисторов 2-(R4 R1) и стабилитронов 2-(VDl — VD3).

После спада положительного импульса на выводе 6 конденсатор 2-С8 начинает разряжаться, запирая транзистор. Продолжительность его заперто­го состояния определяется постоянной времени разряда конденсатора 2-СЗ, а также напряжением на шине питания схемы управления, к которой подключе­на цепочка 2-(Rl R4 VD1VD3). В результате на выводе 4 ИМС вырабаты­вается отрицательный импульс, длительность которого может регулироваться в пределах от 15 до 25 мкс с помощью переменного резистора 2-R1. Этот им­пульс инвертируется транзистором 2-VT1 и поступает на базу предвыходного каскада преобразователя 1-VT1. Транзисторы 1-VT1 и 1-VT2 отпираются и запираются синфазно, поэтому, регулируя длительность импульса на выводе 4 микросхемы, можно пропорционально менять длительность отпертого состоя­ния выходного транзистора 1-VT2, а следовательно и мощность в нагрузке. Синфазная работа 1-VT1 и 1-VT2 несколько ухудшает условия выключения по­следнего, но поскольку мощность преобразователя невелика (около 70 Вт), ре­жим транзистора сохраняется в пределах ОБР.




Начало  Назад  Вперед